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LED 磊晶製程介紹

MOCVD
金屬有機物化學氣相澱(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition,簡稱 MOCVD), 1968年由美國洛克威爾公司提出來
的一項製備化合物半導體單品薄膜的新技術。該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、電腦多
學科為一體,是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備,主要用於GaN(氮化鎵)系半導體材
料的外延生長和藍色、綠色或紫外發光二極體晶片的製造,也是光電子行業最有發展前途的專用設備之一。

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