LED 大延片

LED晶圓（大延片）

LED晶片產生前的LED晶圓磊晶生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、SiC、Si）上，
氣態物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術主要採用有機金屬化學氣相沉
積（MOCVD）方法。